失效分析分類方法

時(shí)間：2020-04-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：75

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• 詞條

  詞條說明

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• 探針臺捐贈(zèng)湖北

  援助方案分兩部分，總價(jià)值**過100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺產(chǎn)品（5臺） A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M： 500萬像素，操作軟件（CCD） 1 pcs MP-01： 80TPI,仰角機(jī)構(gòu)，磁性底座(探

• 芯片失效分析常用方法

  一：X-RAY檢查 1，X-RAY含義： X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時(shí)放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2，X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝

• 半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代

  半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項(xiàng)，目前的態(tài)勢分析這個(gè)決定不好下，因?yàn)槭袌雠c投資（可能約500億美元）兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺地區(qū)《經(jīng)濟(jì)