詞條
詞條說明
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過程中的應(yīng)用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),
芯片開封decap簡(jiǎn)介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析
半導(dǎo)體元器件失效分析性測(cè)試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP:即開封,業(yè)內(nèi)也稱開蓋,開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來 ,同時(shí)保持芯片功能的完整無損,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試。通過芯片開封,我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。開封方法及注意
芯片失效分析方法: 1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失
失效分析FA常用工具介紹;透射電鏡(TEM);TEM一般被使用來分析樣品形貌(morholog;與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子;然后用這種電子束轟擊樣品,有一部分電子能穿透樣品;對(duì)于晶體材料,樣品會(huì)引起入射電子束的衍射,會(huì)產(chǎn)生;對(duì)于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣;集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械;俄歇電子(AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡(TE
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機(jī): 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機(jī): 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com