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半導(dǎo)體技術(shù)公益課:芯片流片前的物理驗(yàn)證
半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡(jiǎn) 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時(shí) 長(zhǎng): 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡(jiǎn) 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長(zhǎng):45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測(cè)中心,集成電
PCB失效分析方法 該方法主要分為三個(gè)部分,將三個(gè)部分的方法融匯貫通,不僅能幫助我們?cè)趯?shí)際案例分析過(guò)程中能夠快速地解決失效問(wèn)題,定位根因;還能根據(jù)我們建立的框架對(duì)新進(jìn)工程師進(jìn)行培訓(xùn),方便各部門借閱學(xué)習(xí)。 下面就分析思路及方法進(jìn)行講解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步驟” 失效分析的過(guò)程主要分為5個(gè)步驟:“①收集不良板信息→②失效現(xiàn)象確認(rèn)→③失效原因分析→④失效根因驗(yàn)證→⑤報(bào)告結(jié)論,改善
聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
透視半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備:芯片良率的捍衛(wèi)者
透視半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備:芯片良率的捍衛(wèi)者 從兩起并購(gòu)說(shuō)起 2018年3月,美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商KLA-Tencor花34億美元現(xiàn)金加股票鯨吞了以色列半導(dǎo)體設(shè)備制造商奧寶科技。 無(wú)*有偶,兩個(gè)月后,先前向美國(guó)外國(guó)投資**(CFIUS)打小報(bào)告的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)科休(Cohu)宣布將以7.96億美元現(xiàn)金加股票收購(gòu)Xcerra。 這兩起并購(gòu)都發(fā)生在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域,引起了各方的高度關(guān)注。本次就讓我們窺探半
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
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