芯片失效分析常用方法

時(shí)間：2020-04-21作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：159

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• eos失效分析篇

  芯片失效案例分析之EOS** 作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問(wèn)題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問(wèn)題在哪。的確，芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問(wèn)題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過(guò)程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過(guò)程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣，并且它的發(fā)生也無(wú)明顯的規(guī)律可循。那么有沒(méi)有一些辦法來(lái)預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢？這里會(huì)

• 微光顯微鏡技術(shù)介紹

  儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。 舉例說(shuō)明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時(shí)N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱，而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的

• 手動(dòng)探針臺(tái)廠家介紹

  儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商，產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽(yáng)能等高科技領(lǐng)域。 近年來(lái)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件，從場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，納微半導(dǎo)體(Navitas)推出

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  [封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來(lái)越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片，如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過(guò)高，使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過(guò)不同種類芯片及封裝顆粒之間的