半導體技術(shù)公益課

時間：2020-04-15

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來
芯片開封decap簡介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析
半導體元器件失效分析性測試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP：即開封，業(yè)內(nèi)也稱開蓋，開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損，為下一步芯片失效分析實驗做準備，方便觀察或做其他測試。通過芯片開封，我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而結(jié)合OM，X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點位和失效的可能原因。開封方法及注意
探針臺支援湖北
儀準科技向湖北半導體產(chǎn)業(yè)伸出援助之手援鄂行動愛在傳遞儀準科技成立至今已逾十載，十年來在國家政策幫扶和半導體行業(yè)關(guān)愛下茁壯成長，砥礪前行！疫情當下，中國經(jīng)濟發(fā)展將受到短暫的影響。儀準科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。援助方案分兩部分，總****過100**民幣1、免費捐贈探針臺產(chǎn)品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套每套配置如下：