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寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(
集成電路的2020年發(fā)展趨勢 據(jù)了解,2019年由于受世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的增速減緩、整機(jī)廠商的去庫存化等綜合因素的干擾,**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一,集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢備受關(guān)注。 集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件??s寫為IC;采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半
疫情當(dāng)下,中國經(jīng)濟(jì)發(fā)展將受到短暫的影響。儀準(zhǔn)科技心系國家,將愛傳遞,特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺(tái)。 援助方案分兩部分,總****過100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品(5臺(tái))。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下: PW-400:4 inch chuck(探針臺(tái)主體) 1 pcs SMZ-168: 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1
失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn),為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-R
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測試芯片測試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測儀 芯片管腳測試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測空洞分層異物測試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
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