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聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
芯片失效分析方法: 1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失
失效分析分類 1 按功能分類 由失效的定義可知,失效的判據(jù)是看規(guī)定的功能是否喪失。因此,失效的分類可以按功能進(jìn)行分類。例如,按不同材料的規(guī)定功能可以用各種材料缺陷(包括成分、性能、組織、表面完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對(duì)機(jī)械產(chǎn)品可按照其相應(yīng)規(guī)定功能來分類。 2 按材料損傷機(jī)理分類 根據(jù)機(jī)械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學(xué)的本質(zhì)機(jī)理不同和過程特征差異, 3 按機(jī)械失效的時(shí)間特征
半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子,一個(gè)是尺寸縮小,另一個(gè)是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起,將開辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國開建2納米工廠事項(xiàng),目前的態(tài)勢分析這個(gè)決定不好下,因?yàn)槭袌雠c投資(可能約500億美元)兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測試芯片測試設(shè)備
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測空洞分層異物測試SAT失效分析
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