詞條
詞條說(shuō)明
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問(wèn)題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問(wèn)題在哪。的確,芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問(wèn)題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過(guò)程中,還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過(guò)程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商,產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽(yáng)能等高科技領(lǐng)域。 近年來(lái),金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件,從場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT),現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN),可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如,納微半導(dǎo)體(Navitas)推出
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電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
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IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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