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IC產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性測(cè)試 AA探針臺(tái) 2018-01-19 閱讀5914 質(zhì)量(Quality)和可靠性(Reliability)在一定程度上可以說(shuō)是IC產(chǎn)品的生命,好的品質(zhì),長(zhǎng)久的耐力往往就是一顆優(yōu)秀IC產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力所在。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問(wèn)題,驗(yàn)證什么,如何去驗(yàn)證,哪里去驗(yàn)證,這就是what, how , where 的問(wèn)題了。 解決了這三個(gè)問(wèn)題,質(zhì)量和可靠性就有了保證,制造商才
中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的新突破
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),它融合了當(dāng)代眾多學(xué)科的**成果,在半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷升級(jí)和產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展中扮演著重要角色。半導(dǎo)體技術(shù)每前進(jìn)一步都對(duì)材料提出新的要求,而材料技術(shù)的每一次發(fā)展也都為半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)、新器件的開(kāi)發(fā)提供了新的思路。2019年,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下,部分中**領(lǐng)域**可喜突破,國(guó)產(chǎn)化進(jìn)一步提升。 行業(yè)整體影響下,市場(chǎng)規(guī)模小幅下滑 受行業(yè)整體不景氣影響,2019年全
X射線(X-ray)檢測(cè) X射線(X-ray)檢測(cè)儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光,快速檢測(cè)出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來(lái)檢測(cè)電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點(diǎn)焊接質(zhì)量等[1] 。 型號(hào):XD7500NT 參考標(biāo)準(zhǔn):《IPC-A-610E電子組裝件的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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