聚焦離子束顯微鏡科普

時間：2020-03-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
芯片失效分析方法
1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標準檢測分辨率＜500納米；幾何放大倍數(shù): 2
熱插拔帶來的EOS損壞
熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。某產品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判
芯片分析方法
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
半導體IC制造流程
《半導體IC制造流程》一、晶圓處理制程晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件（如晶體管、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術較復雜且資金投入較多的過程，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達數(shù)百道，而其所需加工機臺**且昂貴，動輒數(shù)千萬一臺，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量（Particle）均需控制的無塵室（Clean-Room），雖