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白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來,在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū),認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)(laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發(fā)展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
PCB失效分析方法 該方法主要分為三個(gè)部分,將三個(gè)部分的方法融匯貫通,不僅能幫助我們在實(shí)際案例分析過程中能夠快速地解決失效問題,定位根因;還能根據(jù)我們建立的框架對新進(jìn)工程師進(jìn)行培訓(xùn),方便各部門借閱學(xué)習(xí)。 下面就分析思路及方法進(jìn)行講解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步驟” 失效分析的過程主要分為5個(gè)步驟:“①收集不良板信息→②失效現(xiàn)象確認(rèn)→③失效原因分析→④失效根因驗(yàn)證→⑤報(bào)告結(jié)論,改善
樣品托 · 標(biāo)準(zhǔn)多功能樣品托,以*特方式直接安裝到樣品臺(tái)上,可容納18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品托架(φ12mm)、3個(gè)預(yù)傾斜樣品托、 2個(gè)垂直和2個(gè)預(yù)傾斜側(cè)排托架*(38°和90°),樣品安裝 *工具 · 每個(gè)可選的側(cè)排托架可容納6個(gè)S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI(s 7)、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo) · 可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖,分別顯示不同束圖像和/或信號, 真彩信
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測試芯片測試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
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