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詞條說明
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro
一、X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過程中,因電子突然減速,其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無法以外觀方式觀測(cè)的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化,產(chǎn)生的對(duì)比效果可形成影像,即可顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu),進(jìn)而可在不破壞待測(cè)物的情況下觀察待測(cè)物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 二、X-ray能做什么事? 高精度X-ray是無損檢測(cè)重要方
開封, 即開蓋/開帽, 指去除ic封膠, 同時(shí)保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備. 去封范圍:* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開封機(jī)介紹: 美國RKD生產(chǎn)的RKD 酸開封機(jī)是一臺(tái)自動(dòng)混酸開封機(jī),通過整合了***的特點(diǎn)使得它可以獲得較高的產(chǎn)能。新開封機(jī)
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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