PCB失效分析方法流程

時(shí)間：2020-04-08作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：209

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來(lái)分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對(duì)于晶體材料，樣品會(huì)引起入射電子束的衍射，會(huì)產(chǎn)生；對(duì)于TEM分析來(lái)說(shuō)*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE

• 晶圓代工迎來(lái)新的黃金期

  晶圓代工迎來(lái)新的黃金期 近期，以臺(tái)積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注，原因在于它們2020年**季度的財(cái)報(bào)。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財(cái)報(bào)或財(cái)測(cè)不同，臺(tái)積電、聯(lián)電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績(jī)十分亮眼，與當(dāng)下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的負(fù)面影響形成了鮮明的對(duì)比?？磥?lái)，晶圓代工（Foundry）這種商業(yè)模式確有其過(guò)人之處。 2019年10月，DIGITIMES Research預(yù)估

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

  FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，