詞條
詞條說(shuō)明
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后,整個(gè)晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè),裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片**非凡的晶圓,以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,較可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
半導(dǎo)體技術(shù)公益課:有需要線(xiàn)上分享可以安排時(shí)間講您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話(huà)題 時(shí)長(zhǎng)不限 名稱(chēng):半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來(lái)題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。 想做線(xiàn)上分享的,可以聊您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話(huà)題,時(shí)長(zhǎng)不限 IC失效分析實(shí)驗(yàn)室 北軟檢測(cè)智能產(chǎn)品檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營(yíng)
芯片失效分析方法: 1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線(xiàn)的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線(xiàn)
聚焦離子束顯微鏡FIB線(xiàn)路修改切線(xiàn)連線(xiàn)異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
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