x光檢測(cè)

時(shí)間：2020-04-01作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：146

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

  半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡(jiǎn) 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時(shí) 長(zhǎng): 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡(jiǎn) 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長(zhǎng)：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測(cè)中心，集成電

• 聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

  1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F

• 掃描電鏡（SEM）

  掃描電鏡（SEM） 服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測(cè)、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍：**，航天，半導(dǎo)體，**