小型濺射儀鍍膜后掃描電鏡紡織纖維中的應(yīng)用

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：88

鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專注于真空探針臺,小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

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• 磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介

  磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會受到電場和磁場的作用，產(chǎn)生漂移，因而導(dǎo)致傳濺射效率低，電

• 真空探針臺優(yōu)勢和適用于那些科研

  KT-Z1604T探針臺主要應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺的承載臺為60x60不銹鋼臺面，臺面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動，三個方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X

• 磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  ?針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6 Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機(jī)

• 濕度和氣體濃度實(shí)驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品優(yōu)勢

  這個帶有濕度控制的氣體濃度發(fā)生器具有一系列強(qiáng)大的功能和性能參數(shù)，特別適合需要在高濕度和寬范圍氣體濃度中準(zhǔn)確控制和檢測的應(yīng)用。以下是一些關(guān)鍵的性能參數(shù)和特性：- AI智能控制算法：采用**的AI智能控制算法，能夠在大范圍的氣體濃度比例下準(zhǔn)確穩(wěn)定地控制氣體濕度。- 寬廣的濃度稀釋范圍：該設(shè)備的濃度稀釋范圍為1-5000倍，適應(yīng)各種應(yīng)用環(huán)境。- 高精度流量檢測：流量檢測精度可達(dá)到±1% F.S，流量線性