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詞條說明
減少側蝕和突沿,提高蝕刻系數(shù)側蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,(或者使用老式的左右搖擺蝕刻機)側蝕越嚴重。側蝕嚴重影響印制導線的精度,嚴重側蝕將使制作精細導線成為不可能。當側蝕和突沿降低時,蝕刻系數(shù)就升高,高的蝕刻系數(shù)表示有保持細導線的能力,使蝕刻后的導線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無論是錫-鉛合金,錫,錫-鎳合金或鎳,突沿過度都會造成導線短路。因為突沿容易斷裂下來,在導線的兩點之間形
激光切割當聚焦的激光束照到工件上時,照射區(qū)域會急劇升溫以使材料熔化或者氣化。一旦激光束穿透工件,切割過程就開始了:激光束沿著輪廓線移動,同時將材料熔化。通常會用一股噴射氣流將熔融物從切口吹走,在切割部分和板架間留下一條窄縫,窄縫幾乎與聚焦的激光束等寬?;鹧媲懈罨鹧媲懈钍乔懈畹吞间摃r采用的一種標準工藝,采用氧氣作為切割氣體。氧氣加壓到高達 6 bar 后吹進切口。在那里,被加熱的金屬與氧氣發(fā)生反應:
前言:在太陽能發(fā)電領域中,硅片的切割品質可以直接危害硅片達標率和太陽能電池板的良品率,硅片切割全過程中會發(fā)生較多的切割產(chǎn)品質量問題,膠面崩邊是一種常用的問題。在太陽能發(fā)電領域中,硅片的切割品質可以直接危害硅片達標率和太陽能電池板的良品率,硅片切割全過程中會發(fā)生較多的切割產(chǎn)品質量問題,膠面崩邊是一種常用的問題。伴隨著太陽能發(fā)電領域的快速發(fā)展和技術進步,對硅片質量的需求也更為嚴苛。文中主要是對造成膠面
硅片切割的原理:激光切割在電子行業(yè)硅基片的切割的又一新領域的應用。激光切割是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從而達到劃片的目的。因激光是經(jīng)**光學系統(tǒng)聚焦后成為一個非常小的光點,能量密度高,因其加工是非接觸式的,對工件本身無機械沖壓力,工件不易變形。熱影響較小,劃精度高,廣泛應用于太陽能電池板、薄金屬片的切割和劃片。硅片切割的特點:1、切縫質量好、變形小、外觀平整、美觀。
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