艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源”

時(shí)間：2020-01-05作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：952

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  正負(fù)干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖，具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強(qiáng)干擾的特性，電子設(shè)備在如此干擾的環(huán)境中，往往出現(xiàn)死機(jī)、誤動(dòng)作、花屏、甚至燒損等故障，這類故障的形成原因復(fù)雜，使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下，電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖，雖然采用濾波，屏蔽等手段，能夠降低干擾到原來(lái)的10%；但是任然不能滿足精密測(cè)試的要求；較高等

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  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4

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  MJL4302A測(cè)試記錄 測(cè)試目的：測(cè)試MJL4302A的合格率 測(cè)試項(xiàng)目： 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測(cè)試正向飽和壓降 測(cè)試工具： 20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測(cè)試具體方法： 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測(cè)試三極管MJL4302A的Vceo，具體連線圖如下（下文的20K

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  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時(shí)模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。