MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：176

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  詞條說明

• AIKS最新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源

  AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源 AIKS研究人員經(jīng)過反復(fù)的研發(fā)和測試，成功的開發(fā)出適用靜電紡絲，高壓靜電除塵，高壓X射線**器等的高精度可調(diào)高壓電源。 ? 該電源采用了全橋軟開關(guān)技術(shù)，使得電源效率大大提高；公司成功克服高功率密度下的絕緣散熱問題，將電源體積大大減小，同時電源允許在**滿負(fù)荷的情況下24小時工作。該產(chǎn)品輸出的較大電壓可達(dá)80kv，電壓80kv時電流可達(dá)到6.67

• 可編程高壓電源

  一、應(yīng)用范圍 1、高壓實驗 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護 輸出功率 0

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• 電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品

  電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品，分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。