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MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
長春艾克思3相逆變電源UPS順利通過EMC認證 近日,長春艾克思科技有限責任公司研制的3相逆變電源UPS產(chǎn)品順利通過EMC測試,標志著AIKS品牌逆變電源**了進入國外市場的通行證,此項殊榮是一次一突破性的認證。 ??眾所周知,由于逆變電源固有的特點,自身產(chǎn)生的各種噪聲形成一個很強的電磁干擾源,所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強,使整個電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴重。對電子設(shè)備的正常運行構(gòu)成了
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 ? 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 ? 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即
首創(chuàng):5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能!
**:5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能! 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點!但是正是由于較高的開關(guān)速度,在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應,這一效應增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應:調(diào)Q驅(qū)動器通過導線和晶體連接,連接導線等效為一個諧振電感L,晶體等效為一個諧振電容C,如圖1所示;電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程,高壓脈
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
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