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艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源” ? 應(yīng)用案例 A:LD泵浦的高頻電光調(diào)Q激光器 B:連續(xù)燈泵固體激光器(代替聲光調(diào)Q) C:快速光開關(guān) D:激光調(diào)Q實(shí)驗(yàn)教學(xué)儀器 ? 圖片簡要說明
正負(fù)干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強(qiáng)干擾的特性,電子設(shè)備在如此干擾的環(huán)境中,往往出現(xiàn)死機(jī)、誤動作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復(fù)雜,使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
一、應(yīng)用范圍 1、高壓實(shí)驗(yàn) 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實(shí)驗(yàn) 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護(hù) 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時,電源自動啟動保護(hù) 輸出功率 0
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聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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