詞條
詞條說明
三菱IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。三菱IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通
IGBT短路試驗:首先明確一點,IGBT的短路和過流區(qū)別!IGBT短路分為一類短路和二類短路一類短路指直通雙橋壁的另一個IGBT,讓另一個IGBT導通,回路中雜散電感很小,nH的電感二類短路指回路中雜散電感很大,uH的電感,屬于過流!短路電感很小,電流上升很快,危害性很大,過流時,電流上升相對慢!當采用霍爾傳感器進行保護時,因為霍爾傳感器和濾波電路的延遲在ms量級,對于一類短路1us電流就能上升到
本公司資金雄厚、現(xiàn)金交易、誠信待人、豐富經(jīng)驗、經(jīng)過不斷的探索和發(fā)展,已形成完善的評估、采購,從而為客戶提供快捷價優(yōu)的庫存處理服務迅速為客戶消化庫存,回籠資金,我們交易靈活方便,高價回收、現(xiàn)金支付、盡量滿足客戶要求。本公司交易方式靈活,回收不論型號,不論數(shù)量,不論地區(qū),歡迎帶貨來談!
方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機: +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
手 機: +86 13128707396
電 話: 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com