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詞條說明
正確選擇富士IGBT的關(guān)鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據(jù)實際應(yīng)用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用的開關(guān)頻率和響應(yīng)要求,選擇富士IGBT的開關(guān)速度,一般有標準、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據(jù)設(shè)備的安裝和布局要求,選擇適合的
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據(jù)應(yīng)用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應(yīng)工作條件下的電流和電壓。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用需要確定所需的開關(guān)頻率和響應(yīng)時間,選擇具有恰當(dāng)開關(guān)速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應(yīng)的要求。功率損耗:考慮IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的I
1、安全工作區(qū)在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護。這個是開通和關(guān)斷時候的波形,這個是相關(guān)的開通和關(guān)斷時候的定義。我們做設(shè)計時結(jié)溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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