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詞條說明
富士IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,具有以下優(yōu)勢特點:高功率密度:富士IGBT具有良好的導(dǎo)通和關(guān)斷特性,可以實現(xiàn)高功率輸出,有助于減小器件尺寸和重量。低導(dǎo)通壓降:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降,使其在開關(guān)狀態(tài)下具有較低的能耗和功率損耗,有助于提高器件和系統(tǒng)的效率??焖匍_關(guān)速度:富士IGBT的開關(guān)速度較快,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,有助于減小開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。可靠性高:富士IGBT采用高質(zhì)量的材料
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩個功能:一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動 IGBT柵極的電隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。IGBT的驅(qū)動電路很多,分立元件搭成的驅(qū)動電路,簡單、廉價;專用集成驅(qū)動電路保護功能完善、性能穩(wěn)定,但價格稍貴些。獲取海量變頻器圖紙,想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識請關(guān)注“從零開始變頻器維修”微信公眾號。EXB841是日本富士公司生產(chǎn)的混合集成電路,能驅(qū)動動高達 400
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水
IGBT 的驅(qū)動和保護進行了分析,結(jié)合實際應(yīng)用,得出了如下幾點結(jié)論:1. 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大影響。設(shè)計時應(yīng)綜合考慮。2. 在大電感負載下,IGBT 的開關(guān)時間不能太短,以限制出 di/dt 形成的尖峰電壓,確保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合,故驅(qū)動電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴格隔離,驅(qū)動電路與 IGB
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
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