二極管模塊如何測量好壞

時間：2020-11-24

作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司

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可控硅調速原理
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續(xù)調節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s
可控硅的好壞如何判斷？
方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1
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