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詞條說明
富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊,這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別,此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅,或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V,電流
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓撲結(jié)構(gòu)的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預計將主要應用在工業(yè)級驅(qū)動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小,支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
公司名: 蘇州徳昇锘電子科技有限公司
聯(lián)系人: 王冠豪
電 話: 0512-57406365
手 機: 17351195159
微 信: 17351195159
地 址: 江蘇蘇州昆山市開發(fā)區(qū)朝陽東路55號中偉汽配物流市場6幢809室
郵 編:
網(wǎng) 址: szdsndz.b2b168.com
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