4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

時間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：729

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  詞條說明

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流

• igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

  由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調(diào)速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

• 什么是IGBT功率模塊

  從功能上來說，IGBT就是一個電路開關(guān)，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關(guān)，就可以設(shè)計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。IGBT(Insulated Gate