可控硅的好壞如何判斷？

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：273

蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

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  詞條說明

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1

• 焊機(jī)專用快恢復(fù)二極管DBA200UA60 DBA200UA40

  蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的分銷商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專注為電焊機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供核心的半導(dǎo)體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道，百分之百的質(zhì)量保證，競爭力強(qiáng)的價(jià)格，快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。? ?? ?IGBT模塊、IPM模塊

• 4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

  4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計(jì)旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將主要應(yīng)用在工業(yè)級驅(qū)動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器

• 二極管模塊如何測量好壞

  萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理：根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管，其正向電阻小，反向電阻大；這兩個數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時(shí)，選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋，而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大，容易燒壞二極管，R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大，易擊穿二極管.測量方法：將兩表棒分別接在二極管