KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

時間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：56

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• 美國 HVA 真空閥門選型

  上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實(shí)例產(chǎn)品系列特點(diǎn)口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• KRI 離子源應(yīng)用于舞臺燈光濾光片鍍膜

  ?? 舞臺燈光雖然呈現(xiàn)是五顏六色的,?但光源一般都是白色.?通過在光源前加上特定的光學(xué)濾光片,?對光進(jìn)行“加工”,?反射和透過特定的波段,?來達(dá)到不同的色彩變化.?加上顏色濾光片,?讓不同顏色的鏡片不停切換,?產(chǎn)生不同顏色.?而在光學(xué)元件或立基板上,?鍍上或涂布一層或多層介電質(zhì)膜