高效光電藕合器EL1018：實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)光電信號(hào)傳輸

時(shí)間：2024-08-16作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：116

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• MOS場(chǎng)效應(yīng)管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 8N60

  MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)：? ? MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。? ??對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)

• CR6863B是一款高集成度、低待機(jī)功耗的IC電源控制器

  CR6863B高能效CCM+PFM綠色節(jié)能PWM控制器主要特點(diǎn)? 較低的啟動(dòng)電流 (大約3μA)? 內(nèi)置軟啟動(dòng)減少M(fèi)OSFET應(yīng)力? CCM+PFM控制模式? 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償，消除次諧波震蕩? 內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能，降低EMI? 內(nèi)置65kHz開(kāi)關(guān)頻率? 輕載降低工作頻率? VDD電壓8.5V—36.5V，工作范圍寬。? VDD過(guò)壓保護(hù)功能? 內(nèi)置消隱電路? 內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)? 過(guò)載保護(hù)? SOT23-

• 分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用

  分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢(shì)肖特基二管MBR系列快的開(kāi)關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。肖特基二管與普通的PN結(jié)二管不同。是使用N型半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短（10ns以?xún)?nèi)）等優(yōu)點(diǎn)。二、肖特基二管結(jié)構(gòu)肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別，

• 啟達(dá)小功率AC/DC充電器芯片CR52168SF

  啟達(dá)小功率AC/DC充電器芯片CR52168SF產(chǎn)品概述 CR52168B是一款應(yīng)用于小功率 AC/DC 充電器和電源適配器的高性能離 線式脈寬調(diào)制控制器。該芯片采用原邊檢 測(cè)和調(diào)整的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，因此在應(yīng)用時(shí)無(wú)需 TL431 和光耦。芯片內(nèi)置恒流/恒壓兩種控 制方式。 在恒流控制時(shí)，最大輸出電流和輸出 功率可以通過(guò) CS 引腳的限流電阻 RCS 設(shè) 定。在恒壓控制時(shí)，內(nèi)置恒壓采樣電路以 及高精度的誤