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CR6863芯片內(nèi)建頻率抖動功能,穩(wěn)定信號輸出


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  • 肖特基二管的優(yōu)缺點

    肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面:1)由于肖特基勢壘高度PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少,故開關(guān)速度非常快,開關(guān)損耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

  • 啟達啟臣微升級版CR6245 SOP-7

    CR6245CC/CV原邊檢測PWM開關(guān)CR6245主要特點? 待機75mW?? 原邊檢測拓撲結(jié)構(gòu),無需光耦和TL431?? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出? 可編程CC/CV模式控制? 采用多模式控制的效率均衡技術(shù)? 內(nèi)置輸出線電壓補償功能? 內(nèi)置初級電感量偏差補償功能? 內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補償功能? 動態(tài)負載響應(yīng)功能? 內(nèi)置過溫度保護功能? 內(nèi)置CS開路保護功能? 內(nèi)置輸出短

  • 簡單而的開關(guān)電源設(shè)計方案參考!!

    本文主要介紹了CR6863B 的特征和詳細的工作原理,描述了一種采用 CR6863B 的反激式隔離 AC-DC開關(guān)電源的簡單而的設(shè)計方法。芯片特征?低待機功耗: <75mWCCM+PFM控制模式內(nèi)建同步斜坡補償,消除次諧波震蕩內(nèi)建頻率抖動功能,降低EMI內(nèi)置 65kHz 開關(guān)頻率內(nèi)置消隱電路VDD過壓保護功能內(nèi)置過溫保護過載保護綠色節(jié)能滿足 DOE 6 & COC T2 要

  • mos管怎么測試好壞

    mos管怎么測試好壞?mos管的檢測方法如下:1.用萬用表測量mos管的直流電阻。2.用萬用表的交流電壓檔測量mos管的工作電壓。3.在電流輸出端接上指針式電流表,測出該端的實際工作電流值(一般取20ma左右)。4.將上述3個數(shù)值相加,即得該器件的放大倍數(shù)。5.根據(jù)被測器件的不同型號和參數(shù),可以計算出被測器件的放大倍數(shù)、輸入偏置點、負載電阻等參數(shù)。6.如果以上結(jié)果均正常時說明被檢元件是合格產(chǎn)品;否

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