SLKOR 薩科微 SL4275-G TO-263-5 替代英飛凌 TLE4275G

時間：2022-04-01作者：深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司瀏覽：319

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• SLKOR 薩科微 第三代半導(dǎo)體器件 碳化硅器件 SiC MOSFET,SiC SBD

  金航標(biāo)kinghelm薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強(qiáng)為大家介紹說，碳化硅SiC（納米碳化硅）材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率，小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強(qiáng)，機(jī)械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件電子和光電子器件的理想材料。薩科微slkor的技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國的延世大學(xué)，一直在從事碳化硅mos管的國產(chǎn)化的工作，是較早掌握相關(guān)技術(shù)

• 從華強(qiáng)北貿(mào)易商到設(shè)計原廠，薩科微“國產(chǎn)替代”發(fā)展秘笈

  專訪薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生。近年來半導(dǎo)體缺貨愈演愈烈，市場需求增加的同時上游半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，海外元器件廠商交期延長。中國作為**制造業(yè)中心，芯片需求量巨大，疊加美歐“卡脖子”等因數(shù)，國內(nèi)終端客戶加速導(dǎo)入本土品牌，本土功率半導(dǎo)體廠商迎來發(fā)展的契機(jī)。以深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“國產(chǎn)替代”勢力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的短板。薩科微（www

• 薩科微供應(yīng)二極管三極管TVS管場效應(yīng)管霍爾器件晶振電源管理IC等

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