AP3407KTR-G1 DC-DC降壓芯片 絲印GJA SOT23-5

時(shí)間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：191

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  詞條說明

• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應(yīng)

  OptiMOS? 2小信號(hào)晶體管 特征 ?N通道 ?增強(qiáng)模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號(hào)條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

• 原裝正品 貼片 LMBT3904LT1G 1AM LMBT3906LT1G 2A NPN/PNP晶體管

  一般目的晶體管，我們聲明，產(chǎn)品的材料符合RoHS的要求。S-需要唯一站點(diǎn)和控制變更要求的汽車和其他應(yīng)用程序的前綴；AEC-Q101合格，具有PPAP能力。最大額定值額定符號(hào)值單元收集器-發(fā)射器電壓VCEOV0V直流收集器-基本電壓VCBO60V直流發(fā)射器-基本電壓VEBO6.0V直流收集器電流-連續(xù)IC200mAdc 熱特性特征標(biāo)志最大單元設(shè)備總耗竭FR-5板，（1）PD225mWTA=25°C下

• 原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• STM32F413VGT6 LQFP100 正品 微控制器MCU

  描述 STM32F413xG/H設(shè)備基于高性能Arm? 皮質(zhì)?-M4 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)100MHz。他們的大腦皮層?-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元（FPU）單精度，支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。STM32F413xG/H設(shè)備屬于STM32F4接入產(chǎn)品線（產(chǎn)品結(jié)合了電源效率、性能和集成），同時(shí)添加了