4924 4916 4906 4900 4922 4914 4946場效應mos管芯片AO4948 AO4932

時間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：224

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  詞條說明

• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應

  OptiMOS? 2小信號晶體管 特征 ?N通道 ?增強模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標準 參數(shù)符號條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

• AOS萬代 AOZ8804ADI,MOS管/場效應管

  AOZ8804A是一種瞬態(tài)電壓抑制器陣列，設計用于保護高速數(shù)據(jù)線，如HDMI、USB3.0、MDDI、SATA和千兆以太網(wǎng)免受損壞ESD事件的影響。該設備包含8個額定，低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS在一個包。在瞬態(tài)條件下，轉(zhuǎn)向二極管將瞬態(tài)引導到電源線的正側或接地。 AOZ8804A提供了0.3pF的典型線到線電容，低插入損耗高達6GHz，提供更大的信號完整性，使其非常適合HDMI1.3或USB3.0

• ADM7160AUJZ-3.3-R7 ADM7160AUJZ-3.3-R2 TSOT5 全新原裝

  ADM7160是一種超低噪聲、低輟學線性調(diào)節(jié)器，工作范圍從2.2V到5.5V，提供高達200mA的輸出電流。在200mA負載下的低150mV輟學電壓提高了效率，并允許在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 使用一種創(chuàng)新的電路拓撲結構，ADM7160實現(xiàn)了不需要旁路電容器的超低噪聲性能，使該設備成為噪聲敏感的模擬前端和射頻應用的理想選擇。ADM7160還在不影響PSRR或瞬態(tài)線和負載性能的情況下實現(xiàn)了超低噪聲

• GD32F103RCT6 RBT6 RET6 R8T6 C8T6 VCT6 VET6 CBT6 MCU芯片 全新原裝

  GD32F103RCT6 規(guī)格信息： 商品類型GigaDevice(兆易創(chuàng)新) I/O 數(shù)51 CAN1 Ethernet0 A/D16x12bit EEPROM 尺寸0 D/A2x12bit 工作電壓2.6V ~ 3.6V PWM2 CPU位數(shù)32-Bit SPI3 CPU內(nèi)核ARM? Cortex?-M3 UART/USART5 LCD- 主頻（MAX)108MHz ROM類型FLASH I2