國(guó)芯思辰｜基于LORA的信息采集系統(tǒng)可選用新型鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128，性能兼容賽普拉斯FM25V01-G

時(shí)間：2022-12-08作者：國(guó)芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：203

國(guó)芯思辰（深圳）科技有限公司專(zhuān)注于MCU,NVSRAM,ADC/DAC等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 國(guó)芯思辰｜愛(ài)普特32位微控制器(MCU)APT32F1103C8T6 LQFP48用于電解質(zhì)分析儀，SRAM高達(dá)256KB

  電解質(zhì)分析儀主要是用于檢測(cè)液體中的鉀離子、鈉離子、氯離子等離子濃度的醫(yī)療儀器。隨著社會(huì)的高速發(fā)展，對(duì)醫(yī)療儀器的要求越來(lái)越高，需要對(duì)樣本檢測(cè)的內(nèi)容較加精準(zhǔn)、可靠且迅速，此時(shí)就非常依賴應(yīng)用中的微控制器性能了。本文介紹愛(ài)普特的32位微控制器APT32F1103C8T6應(yīng)用于電解質(zhì)分析儀上的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)。以下為電解質(zhì)分析儀的部分原理框圖：愛(ài)普特APT32F1103C8T6應(yīng)用于電解質(zhì)分析儀中具有以下優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：

• 國(guó)芯思辰｜采樣速率100kSPS的ADC GAD7683兼容AD7683用于數(shù)字萬(wàn)用表，采集精度高達(dá)16位

  高精度數(shù)字萬(wàn)用表可以支持電壓、電流、電阻等的測(cè)試，主要應(yīng)用于車(chē)載、船舶、航空航天等領(lǐng)域。某高精度數(shù)字萬(wàn)用表項(xiàng)目在數(shù)據(jù)處理過(guò)程中需要用到ADC，把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)，由于測(cè)量類(lèi)的應(yīng)用對(duì)精度的要求較高，國(guó)芯思辰給其介紹了地芯科技的高精度ADC GAD7683，該芯片可滿足項(xiàng)目應(yīng)用需求。GAD7683應(yīng)用框圖GAD7683典型連接原理圖地芯科技GAD7683的方案優(yōu)勢(shì)：1、該方案的采集精度高達(dá)16位，

• 國(guó)芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計(jì)

  在1KW PFC電源設(shè)計(jì)中，功率因數(shù)校正部分市場(chǎng)上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級(jí)提供穩(wěn)定的直流電源。在PFC功率因數(shù)校正方面如果對(duì)系統(tǒng)效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復(fù)二極管（FRD）；然而在一些要求效率較高的場(chǎng)合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運(yùn)用需要較高的效率。本文重點(diǎn)提到國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體650V/10A碳化硅肖特基二較

• 國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化，導(dǎo)通電阻32mΩ

  UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源，其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器，然而傳統(tǒng)的功率MOS（**級(jí)結(jié)MOS和COOLMOS）已經(jīng)很難滿足電源高開(kāi)關(guān)頻率的需求，國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK可以很好的滿足這一應(yīng)用。LLC諧振變換器的典型電路圖如圖是UPS電源LLC諧振變換器的典型電路圖，其輸入電壓一般以AC220V或者380V為主。