可控硅的作用介紹及檢測方法

時間：2025-07-21

作者：昆山奇沃電子有限公司

18962647678

詞條
詞條說明
可控硅的好壞如何判斷？
方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1
一篇文章帶你重新認識可控硅
可控硅的PN結(jié)比三極管多了半個，它有兩個P型半導體和兩個N型半導體組成，我們把它看做是漢堡的話，最底層的是N型半導體，上面的是P型半導體，再上面又是N型半導體，最后一層也還是P型半導體，它總共有四層半導體，N型半導體和P型半導體交錯互織在一起，而里面就夾雜著三個PN結(jié)，我們在第二層的P型半導體中接出引線，就成了可控硅的控制極，在第四層接引線稱作陽極，在最下面的N型半導體上接的引線就叫做陰極。單向可
英飛凌IGBT模塊型號
# IGBT模塊：電力電子領域的核心器件IGBT模塊作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。這種復合型功率半導體器件結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降優(yōu)點，在工業(yè)變頻器、新能源發(fā)電、電動汽車等領域發(fā)揮著不可替代的作用。## 核心技術(shù)特征IGBT模塊的核心在于其獨特的結(jié)構(gòu)設計和工作原理。柵極控制特性決定了開關(guān)速度，而集電極-發(fā)射極間的電壓耐受能力則關(guān)乎
徐州英飛凌IGBT模塊的種類及優(yōu)缺點
引言在當今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，已成為工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、電動汽車等領域不可或缺的關(guān)鍵組件。英飛凌作為全球功率半導體領域的領導者，其IGBT產(chǎn)品以卓越的性能和可靠性享譽業(yè)界。本文將詳細介紹英飛凌IGBT模塊的主要種類及其各自的優(yōu)缺點，幫助您更好地了解這一重要電子元件。英飛凌IGBT模塊概述英飛凌IGBT模塊融合了MOSFET