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氧化鈮基憶阻器在半導體存算一體芯片中的原理與制備技術


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  • 氧化鋯基異質(zhì)結(jié)在半導體光電器件中的協(xié)同效應

    **氧化鋯異質(zhì)結(jié):解鎖半導體光電新潛能** 半導體光電器件的發(fā)展離不開材料科學的突破,氧化鋯基異質(zhì)結(jié)因其*特的物理化學性質(zhì)成為研究熱點。這種結(jié)構通過不同材料的界面耦合,在光電轉(zhuǎn)換、載流子傳輸?shù)确矫嬲宫F(xiàn)出顯著的協(xié)同效應,為高效光電器件的設計提供了新思路。 氧化鋯本身具有高介電常數(shù)、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和寬帶隙特性,適合作為異質(zhì)結(jié)的基底材料。當它與窄帶隙半導體結(jié)合時,界面處會形成能帶彎曲,促進光生載流子的

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