靈動微ARM Cortex-M內(nèi)核測試向量生成

時間：2020-01-07作者：深圳市英尚微電子有限公司瀏覽：145

深圳市英尚微電子有限公司專注于存儲器芯片IC,SRAM,MRAM,pSRAM,FLASH芯片,SDRAM等

• 詞條

  詞條說明

• Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF

  Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項(xiàng)有效**和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H4

• MRAM在哪方面適合物聯(lián)網(wǎng)

  “事物”是指可以通過傳感器讀取或通過電子方式確定和控制其狀態(tài)的任何事物。 通過互聯(lián)網(wǎng)，物聯(lián)網(wǎng)將能夠彼此通信并做出決策，而*人工干預(yù)。 物聯(lián)網(wǎng)的概念意味著將對象或機(jī)器連接到互聯(lián)網(wǎng)，以便可以收集，共享和完善數(shù)據(jù)以支持較高的人類生活質(zhì)量。 可以從云中存儲和訪問應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)。人，應(yīng)用程序或其他機(jī)器做出的決策可以作為控制事物的命令發(fā)布。 MRAM在哪里適合物聯(lián)網(wǎng)？ 作為快速寫入的非易失性存儲器，MRAM

• 醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM

  Everspin擁有包括40nm，28nm及較高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的**技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，閩臺和其他亞洲國家。Everspin深圳總代理英尚微電子已交付大量的MRAM芯片供給各行業(yè)領(lǐng)域范圍。 日本Nikkiso是工業(yè)，航空航天和

• ?美國ISSI芯片公司簡介

  美國ISSI公司總部位于加利福尼亞州米爾皮塔斯，在世界九個地區(qū)設(shè)有**辦事處。 ISSI公司是為以下主要市場設(shè)計(jì)，開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)**者：汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療。我們的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。我們以具有成本效益的高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)高增長市場，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。即使在生