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美國 HVA 高真空閥門簡介


    伯東企業(yè)(上海)有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

  • 詞條

    詞條說明

  • KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

    硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

  • HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機

    國內(nèi)某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列,尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術(shù)規(guī)格:??下圖是某?OLED?鍍膜機廠家配置上海伯東美

  • KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

    上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性

  • HVA 真空閥門(真空閘閥)成功用于激光真空系統(tǒng)

    激光是一種很奇妙的?”物質(zhì)”,?是人類繼原子能、計算機和半導(dǎo)體之后人類的又一偉大發(fā)現(xiàn).人們都知道,?激光亮度高,?可以達到太陽亮度的10億倍甚.激光純凈無比,?單色性好;?激光具有無比的準直性(直線傳播);?而且,?激光的能量強大,?瞬間爆發(fā)的能量,?即使堅硬的物體也能夠被穿透、熔化.?因

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