氦質譜檢漏儀 ASM 340D 高真空排氣臺密封性泄露檢測

時間：2023-04-12

作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司

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KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸
上海伯東KRI離子源在半導體材料中的預清洗及刻蝕應用
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導體材料SiO2中的預清洗及刻
分子泵組應用于紅外原位分析平臺
Pfeiffer?分子泵組應用于紅外原位分析平臺紅外原位瞬態(tài)反應過程分析實驗平臺是與世界實驗室同步水平研究的變溫變壓綜合實驗設備, 由原位吸附高真空系統(tǒng), 低溫系統(tǒng), 氣液物料, 探針凈化控制系統(tǒng)和壓力突變等部件組成, 可用于開展樣品的熱脫附, 熱解, 探針分子飽和吸附和探針分子脈沖微吸附等復雜反應過程研究.紅外原位分析平臺的主要特點是對固體材料進行嚴格的高真空和高溫預處理, 可在高真空