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? ? ? 肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)的名字命名的,SBD是肖特基勢壘二管(Schottky Barrier Diode, SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二管或表面勢壘二管,它是一種熱載流子二管。它具有
啟達(dá)CR6257 CR6259系統(tǒng)應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)
啟達(dá)CR6257 CR6259系統(tǒng)應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)本文闡述了CR6257 CR6259 兩款基于原邊控制方式的充 電器/適配器設(shè)計(jì)芯片,包括芯片的特征和詳細(xì)的工作原 理,以及設(shè)計(jì)技巧。CR6257 CR6259等芯片滿足六級能耗標(biāo)準(zhǔn)。CR6257 CR6259 特征: CC/CV 控制,無需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開關(guān) MOSFET 低的啟動電流:5uA(Typ) 低的工作電流
mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分?在使用三端穩(wěn)壓集成電路的時(shí)候,我們常常會遇到三個(gè)引腳的情況。那么這三個(gè)引腳怎么區(qū)分呢?下面就給大家介紹一下:三管的管型有npn型和pnp型兩種,它們的區(qū)別是:npn型管子有三個(gè)電(正、負(fù)、地),其中正為集電區(qū),負(fù)為發(fā)射區(qū)和基之間的過渡層,而中間一層為耗盡區(qū);pnp型的管子只有兩個(gè)電(正和負(fù)),其中正為集電區(qū),負(fù)為發(fā)射區(qū)和基之間沒有緩沖層的半導(dǎo)體材料。從外形上來看的話,三管
低壓電源芯片LM358低壓電源芯片LM358是一種雙運(yùn)算放大器芯片,它具有高輸入阻抗,低噪聲和低偏置等特點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。該芯片采用3針DIP和SOIC封裝形式,使用簡單方便,性能穩(wěn)定可靠。LM358芯片內(nèi)部集成了兩個(gè)獨(dú)立的、同相、電壓放大器。這兩個(gè)放大器可以單獨(dú)使用,也可以連接在一起使用,以實(shí)現(xiàn)更高的放大倍數(shù)。芯片的輸出電壓范圍為±10V,具有較高的精度和穩(wěn)定性,適合于各種
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智能設(shè)備充電器 CR6213A SOP-8L 啟達(dá)
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