啟達(dá)CR5218SF低成本方案資料，5-12W雙繞組芯片

時(shí)間：2022-04-08作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：656

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 啟達(dá)六級(jí)能效CR6855L使用方式

  CR6855L100mW?待機(jī)的低成本綠色節(jié)能?PWM?控制器CR6855L直接替換OB2273/A、NE1102主要特點(diǎn)? 低待機(jī)功耗（<100mW）? 低啟動(dòng)電流?(約5μA)? 低工作電流?(約1.5mA)? 內(nèi)置軟啟動(dòng)技術(shù)降低開(kāi)機(jī)MOSFET功?率管漏源電壓應(yīng)力? 過(guò)溫保護(hù)外部可調(diào)? 內(nèi)置VDD過(guò)壓保護(hù)以及嵌位保護(hù)功&nbs

• 原邊電源芯片CR6248

  CR6248CC/CV原邊檢測(cè)PWM開(kāi)關(guān)CR6248主要特點(diǎn)? 待機(jī)75mW?? 原邊檢測(cè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，無(wú)需光耦和TL431?? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出? 可編程CC/CV模式控制? 采用多模式控制的效率均衡技術(shù)? 內(nèi)置輸出線電壓補(bǔ)償功能? 內(nèi)置初級(jí)電感量偏差補(bǔ)償功能? 內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償功能? 動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)功能? 內(nèi)置過(guò)溫度保護(hù)功能? 內(nèi)置CS開(kāi)路保護(hù)功能? 內(nèi)置輸出短

• 分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用

  分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用? ?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢(shì)肖特基二管MBR系列快的開(kāi)關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。肖特基二管與普通的PN結(jié)二管不同。是使用N型半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短（10ns以內(nèi)）等優(yōu)點(diǎn)。二、肖特基二管結(jié)構(gòu)肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二

• mos管怎么測(cè)試好壞

  mos管怎么測(cè)試好壞？mos管的檢測(cè)方法如下:1.用萬(wàn)用表測(cè)量mos管的直流電阻。2.用萬(wàn)用表的交流電壓檔測(cè)量mos管的工作電壓。3.在電流輸出端接上指針式電流表，測(cè)出該端的實(shí)際工作電流值(一般取20ma左右)。4.將上述3個(gè)數(shù)值相加，即得該器件的放大倍數(shù)。5.根據(jù)被測(cè)器件的不同型號(hào)和參數(shù)，可以計(jì)算出被測(cè)器件的放大倍數(shù)、輸入偏置點(diǎn)、負(fù)載電阻等參數(shù)。6.如果以上結(jié)果均正常時(shí)說(shuō)明被檢元件是合格產(chǎn)品;否