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杭州可控硅模塊型號概述杭州可控硅模塊是一種重要的電子元器件,廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,如逆變器、變頻器、開關(guān)電源等。根據(jù)不同的應(yīng)用需求,杭州可控硅模塊的型號也各不相同。以下是對幾種常見的杭州可控硅模塊型號的簡要概述:1. TA803:該模塊是一款小功率的3個管腳模塊,適用于電壓范圍在幾十伏到幾百伏之間的設(shè)備。TA803通常采用國產(chǎn)的捷捷微系統(tǒng)等品牌。2. TA805:TA805是一款中等功率的
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實(shí)是無感吸收電熔的一個統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),消除由于母排的
IXYS可控硅模塊的選擇需要考慮多個因素,包括模塊的電壓、電流容量、觸發(fā)電流和工作溫度等。以下是對IXYS可控硅模塊選擇的一些基本步驟和注意事項(xiàng)的簡要概述:1. **確定應(yīng)用需求**:首先,你需要明確你的應(yīng)用場景需要什么樣的電壓和電流。IXYS可控硅模塊的電壓范圍從5V到400V不等,電流范圍從幾毫安到幾百安培。確保你的模塊能夠滿足你的實(shí)際需求。2. **考慮負(fù)載特性**:可控硅模塊的負(fù)載特性對其
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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