宿遷熔斷器的種類及優(yōu)缺點

時間：2025-09-30作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：147

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• 詞條

  詞條說明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時,即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

• 怎么選擇PRX可控硅模塊

  # 可控硅模塊選型的三大核心要素在工業(yè)控制和電力電子領(lǐng)域，PRX可控硅模塊的選型直接關(guān)系到系統(tǒng)運行的可靠性和效率。電壓電流參數(shù)是首要考慮因素，額定電壓應(yīng)至少高于實際工作電壓20%-30%，以應(yīng)對電網(wǎng)波動和瞬態(tài)過電壓。電流容量則需根據(jù)負(fù)載最大工作電流確定，同時考慮散熱條件和環(huán)境溫度對載流能力的影響。觸發(fā)方式的選擇同樣關(guān)鍵，常見的有過零觸發(fā)和移相觸發(fā)兩種。過零觸發(fā)適用于電阻性負(fù)載，能有效減少對電網(wǎng)的諧

• 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

  # IGBT模塊技術(shù)的演進(jìn)與未來趨勢## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術(shù)自問世以來經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu)，開關(guān)速度相對較慢，導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進(jìn)步，溝槽柵技術(shù)應(yīng)運而生，顯著降低了導(dǎo)通壓降，提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場終止技術(shù)，使芯片厚度大幅減小，同時保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電

• 泰州可控硅模塊功率模塊的作用

  可控硅模塊：電力電子領(lǐng)域的核心器件可控硅模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要組成部分，已經(jīng)成為工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域的核心器件。這種將多個可控硅芯片及相關(guān)電路集成于一體的功率半導(dǎo)體器件，以其卓越的性能和可靠性，在各類高功率電能轉(zhuǎn)換與控制任務(wù)中發(fā)揮著不可替代的作用。我們公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的電力電子元器件供應(yīng)商，長期代理包括英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富士、三菱、仙童