科普里AEM-090-14

時間：2018-11-21作者：上海持承自動化設(shè)備有限公司瀏覽：45

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  庫存三菱模塊Q6DIN2 Q6DIN3庫存三菱模塊Q6DIN2 Q6DIN3庫存三菱模塊Q6DIN2 Q6DIN3IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙較型晶體管）模塊是所有工業(yè)設(shè)備變頻化必需的元器件，從20世紀(jì)90年代產(chǎn)品化開始，該產(chǎn)品就向著大電流、耐高壓方向發(fā)展。此外，其產(chǎn)品芯片結(jié)構(gòu)從平面柵較結(jié)構(gòu)發(fā)展為溝槽柵較結(jié)構(gòu)，并且憑借CSTBT?M結(jié)構(gòu)（本