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焦點一:功率半導(dǎo)體器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關(guān)速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600V、2**。很長一段時間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過長時間
變頻器系統(tǒng)低頻特性改善措施(2) 圓周PWM方法降低轉(zhuǎn)距脈動 “圓周”的含義是*子磁鏈ψ1空間矢量在高斯平面中沿著一個非常接近于圓周的多邊形,其以降低電動機脈動轉(zhuǎn)距為目的來確定電壓脈沖的寬度和位置。三相逆變器為全波橋式結(jié)構(gòu),如其運行在這樣一種方式下,當交流輸出端(a、b、c)之一在任何時候接通直流母線(應(yīng)同時接到另一個直流母線上),這一原理從圖1(a)中可以明顯表示清楚。顯然交流輸出端接到直流母
“十一五”規(guī)劃將對未來電源投資分布產(chǎn)生指導(dǎo)性影響
**領(lǐng)域下對電源市場的影響 2、** ①“十一五”規(guī)劃將對未來電源投資分布產(chǎn)生指導(dǎo)性影響 目前,全國和各級地方**的電子政務(wù)建設(shè)“十一五”規(guī)劃都還在**過程中。實現(xiàn)對現(xiàn)有系統(tǒng)有效整合,繼續(xù)提高信息資源開發(fā)利用水平,加強信息安全體系建設(shè)將是“十一五”期間電子政務(wù)建設(shè)的主要內(nèi)容。以上建設(shè)內(nèi)容對電源性能等指標都將不斷提出更高的要求。 ②電子政務(wù)評估體系的完善將成為為**信息化建設(shè)的外在動力 隨著電子政務(wù)
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