可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路

時間：2022-08-23作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：773

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 【二極管模塊】二極管的結(jié)構(gòu)組成

  二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。?當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。?因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成

• 可控硅模塊的工作原理是什么

  可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，當(dāng)陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制較G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集

• 常用的熔斷器有哪些分類？

  （1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大，可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護(hù)。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器