詞條
詞條說(shuō)明
PN8306產(chǎn)品描述:PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8306內(nèi)置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開關(guān)工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)到V SW <-400mV,控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的
高集成18W PD快充充電器方案批量出貨:數(shù)十款產(chǎn)品爭(zhēng)相采用
隨著USB PD快充市場(chǎng)興起,消費(fèi)類電子較新迭代速度加快,18W PD快充*便成為了目前市面上能見度較高的快充電源產(chǎn)品之一,本土電源芯片公司芯朋也看準(zhǔn)了這一市場(chǎng)需求,推出了18W PD快充高集成度解決方案,投入市場(chǎng)僅一年左右時(shí)間,**了不錯(cuò)的市場(chǎng)成績(jī)。?原邊芯片PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提
驪微電子在5V開關(guān)電源ic方案上推薦典型的**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器制IC,例如:開關(guān)電源芯片PN8368。 ? PN8368集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。
隨著DoE 六級(jí)能效及CoC V5 Tier 2的實(shí)施,同步整流取代肖特基已成為大勢(shì)所趨,驪微電子推出新一代精簡(jiǎn)外圍12V3A六級(jí)能效充電器/適配器方案:PN8275+PN8308H外圍外圍BOM降低20%,效率高達(dá)87%,滿足六級(jí)能效的傳統(tǒng)12V3A六級(jí)能效同步整流方案。?六級(jí)能效同步整流方案概述:PCBA尺寸:39.0mm*86.0mm輸入電壓:90~265Vac全電壓輸出功率:36
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
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電 話: 13808858392
手 機(jī): 13808858392
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