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【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)


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  • 【可控硅模塊】測(cè)試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

    測(cè)試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定:在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響,環(huán)

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  • 【德國(guó)西門(mén)康可控硅】可控硅工作原理

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