【二極管模塊】二極管結(jié)構(gòu)組成

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：238

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 英飛凌IGBT模塊

  可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控

• 熔斷器的主要作用是什么？

  熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明，由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重，所以，初是將它用保險(xiǎn)絲來保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過電流的傷害，也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此，每個(gè)熔斷器上皆有額定規(guī)格，當(dāng)電流**過額定規(guī)格時(shí)保險(xiǎn)絲將會(huì)熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間的電流作用于熔斷器時(shí)，熔斷器應(yīng)能滿意地工作

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管

  全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克（Infineon）、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產(chǎn)的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復(fù)二極管、整流橋、電解電容、驅(qū)動(dòng)電路、M