【德國西門康可控硅】可控硅工作原理

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：446

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 二極管模塊

  雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊特點(diǎn)：*JEDEC TO-240 AA **標(biāo)準(zhǔn)封裝*直接銅敷

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介

  IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 【二極管模塊】二極管的結(jié)構(gòu)組成

  二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。?當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。?因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成

• 熔斷器要怎么選？

  1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如，對于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方，應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機(jī)床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí)，應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額